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Samsung Galaxy S9 tendrá más memoria interna

06 Diciembre 2017

El chip de memoria, que ya comenzó su producción en masa, fue originalmente concebido por Samsung para la industria automotriz, pero prefirieron optar por los tablets y smartphones de próximas generaciones.

Los modelos de celulares con mucho espacio de almacenamiento actuales vienen con 128GB o 256GB, pero el nuevo chip integrado de Samsung ofrecería el doble o hasta cuatro veces esas cantidades. Algunos terminales tienen la posibilidad de usar una tarjeta microSD, pero hay un inconveniente, no es tan rápida como la memoria interna.

De bajo consumo, este módulo de 512GB es capaz de alcanzar velocidades de 860Mbps y 42.000 operaciones por segundo en lectura aleatoria, con 40.000 en escritura.

Un año después que Samsung anunciara chips de memoria de 256 GB para sus teléfonos, la compañía coreana sorprendió al duplicar esa cifra y presentar el que, según Business Wire, será el chip de memoria interna para smartphones más poderoso de la historia: 512 GB. O aparecerá primero en teléfonos de terceros que usan los chips de memoria de Samsung. Este módulo de almacenamiento flash universal (eUFS) es superior a la capacidad de muchas computadoras del mercado y, como hemos dicho, será parte de futuros dispositivos móviles.

Permite, por ejemplo, que un smartphone insignia almacene aproximadamente 130 video clips 4K Ultra HD (3840 × 2160) de 10 minutos de duración, lo que significa diez veces más que un eUFS de 64GB.

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